SJ 50033.22-1994 半导体分立器件2CC51E型硅电调变容二极管详细规范
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ID： |
41531EB25DFD4C0A8F05C313C926B200 |
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文件大小(MB)： |
0.39 |
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9 |
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日期： |
2024-7-28 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 sj 50033/22-94,半导体分立器件,2CC51E型硅电调变容二极管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for silicon tuning varactor,diode for type 2CC51E,1994-09-30 发布1994-12-0I 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,2CC51E型硅电调变容二极管详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for silicon tuning varactor,diode for type 2CC51E,SJ 50033/22-94,1范围,1-I主题内容,本规范规定了 2CC51E型硅电调变容二极管（以下简称器件）的详细要求.,1.2 适用范围,本规范适用于的器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》1. 3条的规定,提供的质量保证等级为普军和特军二,级,分别用字母GP和GT表示.,2引用文件,GB 6570—86微波二极管测试方法,GJB 33-85 半导体分立器件息规范,GJB 128—86半导体分立器件试验方法,GJB 半导体分立器件微波二极管外形尺寸,3要求,3-1详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3. 2.1引出端材料和涂层,引出端材料应为无氧铜。引出端表面应为镀金层。对引出端涂层另有要求时,在合同或订,中华人民共和国电子工业部1994-09-03发布 1994-12-01实施,SJ 50033/22-94,货单中应予规定（见6. 3）,3.2- 2器件结构,外延台面,芯片内引线采用热压焊,反面用高温金浆与管売烧结ヨ,3. 2.3外形尺寸,外形尺寸按GJB 半导体分立器件 微波二极管外形尺寸的W4-01型,其外形尺,寸图如ド;,. 0. 2メイ5,11.2 士。,5,图!外形尺寸,3.3最大额定值和主要电特性,3. 3.1最大额定值,型 号Rm 厶加,(mW) (V) 1.1っ(1?),2CC51E 帅） 弘ミゴ7匕コ-55-175,3.3-2主要电特性（7ゝ:25。）,や,、限,、值,型号、,h\,Vr = 30V,(的,Cゝ IU ",Vr^OV,(pF),狗,レスエOV,V\^30V,Q,VTk-4V,/ - 9. 375MHz,最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值,2CC51E -- 0.5 丸9 6* 5 6 -- 3,注」）封装电容Cp为0, 3pF（典型值）,3-4电测试要求,电测试应符合GB 6570及本规范的规定,—2 —,下载,SJ 50033/22-94,3.5 标志,标志应符合GJB 33和本规范的规定?,4质量保证规定,4J抽样和检验,抽样和检验按GJB 33的规定,42鉴定检验,鉴定检验按GJB 33的规定.,4.3 筛选（仅对GT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范,表1极限值的器件应予剔除,筛 选,（见 GJB 33 表 2）,试验方法,方法号,测 试,3热冲击1051 除低温为ー55 c循环!0次外,其余同试验条件F.,5密封1071 试験条件c,6高温反偏1039 "125CM±24V 96h,7中间电参数测试表1的A2分组!R和Cjo,8电老化1038 7\ = 125 C、ス=12V 50Hz,正向峰值电流1.5rA,反向峰值电压25V,9最后测试按本规范表1的A2和A4分組;,△。2ユ初始值的±15 %,4.4 质量、“致性检验,质量一致性检验应按GJB 33的规定进行,4-4-1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定进行,4-4.2 B组检験,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行。最后测试应按本规范表4的步驟进行,4. 4.3 C组检验,c组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行。最后测试应按本规范表4的步骤进行.,sj 50033/22-94,表1 A组检验,检験或试验,GB 6570,LTP ロ符号,极限值,单位,方 法条 件最小值最大值,A1分组.,外观及机械检验,GJB 128,2071,5,A2分组,反向电流,緖电容,电容变比,5. 1,3.5,5.5,底=3OV,Vki = OV,Vr2 = 3OV,/-1MHz,5,Tri,CP,CJ,c由,3.9,6,0.5,6. 5,朴A,PF,A3分组,施温工作,反向电流5*1 Vr^3QV,Ta = 125C,5,几,；,5 *A,A4分组,Q值1& 3 34V,/=% 375GH苫,5,Q 3,表2 B组检腦,检验或试验,GJB 128,LTPD,方 法?条 件,Bl分组,标志的耐久性1022 15,B2分组,热冲击（温度循环）,密 封,最后测试:,1051,1071,除低温为一55 C楣环10次外,其余同试验条件F.,试验条件C,按表4步骤1和3,10,B3分组,稳态工作寿曲,最后测试:,1027 丁…85 c 3 UV,/= 50Hz正向峰值电流1.淞A.,反向峰值电压24V,按表4步骤2和4,5,R6分组,高温寿命（非工作状态）,最后测试:,1032 7\F 75 c……
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